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GT035N10M 场效应管(MOSFET) 1个N沟道 耐压:100V 电流:190A TO-2
GT035N10M 场效应管 1个N沟道 耐压:100V 电流:190A TO-2
GT035N10M 晶体管 MOSFET N100V, 190A,RD[3.5M@10V,VTH2V~4V
GT035N10M | GT035N10T | GT035N12T
GT035N10M 场效应管(MOSFET) TO-263 N沟道 100V 190A
GT035N10M TO-263 N 100V 190A 场效应管晶体管
GT035N10M晶体管N100V, 190A,RD小于3.5M@10V,VTH2V~4V
GT035N10M TO-263 场效应管 GOFORD(谷峰)
GT035N10M TO-263 MOSFET 场效应管 分立半导体
GOFORD(谷峰) GT035N10M TO-263 场效应管
二极管/晶体管GT035N10M[N100V, 190A,RD小于3.5M@10V,VTH2V~4V]
